Зарядки для гаджетів на порозі революції: китайці навчилися робити GaN-транзистори

Силові напівпровідники піднімаються на сходинку вище. Замість кремнію в справу йде нітрид галію (GaN). Інвертори і блоки живлення на GaN-транзисторах працюють з ККД до 99%, забезпечуючи найвищу ефективність енергетичних систем від електростанцій до систем зберігання і використання електрики. Лідерами нового ринку є компанії з США, Європи і Японії. Тепер в цю область увійшла перша компанія з Китаю.

Порівняння швидких 60-Вт зарядок Apple (велика) і китайської ROCK (меншого розміру)

Днями китайський виробник гаджетів компанія ROCK випустила перший зарядний пристрій з підтримкою швидкої зарядки на «китайському чіпі». В основі звичайного рішення лежить GaN силова збірка серії InnoGaN компанії Inno Science. Чіп виконаний в стандартному для компактних блоків живлення формфакторі DFN 8x8.

Зарядка ROCK 2C1AGaN потужністю 65 Вт компактніше і більш функціональна, ніж зарядний пристрій Apple Apple 61W PD (порівняння вище на фото). Китайська зарядка може одночасно заряджати три пристрої за двома інтерфейсів USB Type-C і одному USB Type-A. В майбутньому ROCK на китайських GaN-збірках планує випустити версії швидких зарядок потужністю 100 і 120 Вт. Крім неї з виробником силових GaN-елементів компанією Inno Science співпрацюють ще близько 10 китайських виробників зарядних пристроїв і блоків живлення.

Приклад слової збірки в упаковці DFN 8x8

Вишукування китайських компаній і, зокрема, компанії Inno Science в області силових GaN-компонентів покликані привести до незалежності Китаю від зарубіжних постачальників аналогічних рішень. Компанія Inno Science володіє власним центром розробок і лабораторією для повного циклу тестування рішень. Але що більш важливо, вона має дві виробничі лінії для випуску GaN-рішень на 200-мм підкладках. Для світу і навіть для ринку Китаю - це крапля в морі. Але з чогось же треба починати?